חברת סמסונג, מיצרניות הסמארטפונים הגדולות בעולם, הכריזה יחד עם IBM על פריצת דרך בתחום המוליכים למחצה. אם עד כה הטרנזיסטורים היו מונחים כולם בשכבה אחת, הגישה החדשה מציבה אותם זה על גבי זה בצורה אנכית ומאפשרת לזרם לעבור "מלמעלה למטה" במקום מצד לצד או לרוחב.

כזכור, חוק מור קובע כי מספר הטרנזיסטורים על כל מעגל משולב יכפיל את עצמו מדי שנתיים. במשך שנים התחזית של מור נחשבה למדויקת, אך בשנים האחרונות נראה היה כי בסופו של דבר הוא יהפוך להיות בלתי רלוונטי. אם כך, הטכנולוגיה החדשה, Vertical Transport Field Effect Transistors למעשה "מצילה" את חוק מור.

פריצת הדרך הזו עשויה לאפשר לנו לחסוך עד 85% באורך החיים של הסוללה ובאופן תיאורטי להעניק לנו שבוע עבודה מלא לאחר טעינה אחת בלבד.

יתרונות נוספים של פריצת הדרך היא ייצור שבבים בעובי דק עוד יותר מטכנולוגיית ה-Nanosheets שבחודש מאי השנה עוד נחשבה לחוד החנית בתחום והבטיחה טעינה "רק" כל 4 ימים. גם תהליכי זוללי אנרגיה כמו למשל כריית מטבעות קריפטוגרפים והצפנת מידע יוכלו לדרוש פחות אנרגיה וכך להשאיר טביעת רגל פחמנית קטנה יותר (כלומר, לזהם פחות).

בטווח הרחוק יותר ניתן יהיה לשלב מכשירים המבוססים על חיבור לאינטרנט (Internet of Things) בסביבות מגוונות יותר מאשר כיום, אפילו במתקנים הצפים באוקיאנוס או ספינות חלל.

על פי ד"ר מוקש חאר, נשיא זרוע המחקר בתחום ענן ומערכות היבריידים ב-IBM, "בהינתן הגבולות שהתעשייה מתמודדת מולם במספר חזיתות, IBM וסמסונג מדגימים את המחויבות המשותפת שלנו לחדשנות בעיצוב המוליכים למחצה והמרוץ המשותף אחרי מה שאנחנו מכנים 'הארד טק'". 

בסופו של דבר, כמו כל פריצת דרך או המצאה טכנולוגית משמעותית, יש לזכור שכנראה יעבור עוד זמן רב עד שנראה את היישום שלה בפועל. מעבר לכך, העובדה שמדובר בחברת סמסונג שיכולה לרשום על כל העניין פטנט, עשויה לעקב חברות אחרות שיצטרכו למצוא דרך לעשות שימוש בטכנולוגיה מקבילה.

תמונה ראשית- צילום מסך יוטיוב IBM